삼성전자는 2024년 1월 31일에 발표된 지난해 4분기 실적 발표회를 통해, 올해 고대역폭메모리(HBM) 공급량이 전년 대비 두 배로 증가할 것이라고 전망했습니다. 이는 고객 수요가 기존 8단에서 12단으로 빠르게 전환될 것으로 예상되기 때문입니다.
HBM 기술의 발전과 전망
삼성전자는 올해 1분기 말부터 HBM3E 개선 제품을 공급하고, 2분기부터 본격적인 공급 증가를 기대하고 있습니다. 또한, 6세대(1c) D램 기반 HBM4는 올해 하반기 양산을 목표로 개발 중입니다. 이는 삼성전자가 HBM3E 8단과 12단 제품을 양산 판매 중인 지난 3분기부터의 성과를 이어가겠다는 계획을 의미합니다.
특히, 엔비디아와 협력하여 HBM3E 개선 제품의 발열 및 전력효율을 개선해 품질 평가를 진행 중이며, 이 평가가 통과되면 큰 폭의 실적 개선이 기대됩니다. HBM3E 16단 제품도 기술 검증을 위해 주요 고객사에 샘플을 전달한 것으로 전해졌습니다.
메모리 수요 회복 전망
삼성전자는 2분기부터 메모리 수요가 회복될 것으로 예측했습니다. 그래픽처리장치(GPU) 공급이 개선됨에 따라 지연되었던 데이터센터 프로젝트들이 정상화되고, 이에 따라 HBM을 포함한 서버용 D램 및 기업용 솔리드스테이트드라이브(eSSD) 수요도 증가할 것이라고 내다봤습니다.
고부가가치 제품으로의 전환 가속화
삼성전자는 D램과 낸드플래시 제품의 고부가가치 선단 공정으로의 전환을 가속화할 계획임을 강조했습니다. 중국 제조사들의 과잉 공급으로 가격이 하락하고 있는 DDR4와 LPDDR4의 매출 비중은 지난해 30% 초반에서 올해 한 자릿수로 대폭 축소될 예정입니다. 이를 통해 고부가가치 제품에 더 집중하여 경쟁력을 강화할 계획입니다.
반도체 위탁생산(파운드리) 사업의 향후 계획
파운드리 사업에서도 기술 개발이 활발히 진행되고 있습니다. 삼성전자는 2나노미터(㎚) 1세대 공정을 2025년에, 2세대 공정을 2026년에 양산을 목표로 준비 중입니다. 현재 주요 고객사들을 대상으로 성능, 전력효율, 면적(PPA) 평가 및 멀티프로젝트웨이퍼(MPW, 샘플 생산)를 진행하고 있으며, 일부 고객사들은 제품 설계를 시작했습니다.
삼성전자 투자 관련 주의사항
삼성전자는 지속적인 기술 발전과 시장 수요 변화에 대응하여, HBM 공급량의 대폭 증가와 고부가가치 메모리 제품의 전환을 통해 경쟁력을 강화할 계획입니다. 특히, 엔비디아와의 협력을 통해 HBM3E 개선 제품의 품질을 높이고, 주요 고객사들과의 긴밀한 협력을 통해 반도체 기술의 선도적 위치를 유지하려는 노력을 기울이고 있습니다.
향후 삼성전자의 전략적 대응과 기술 혁신이 실제로 어떤 결과를 가져올지 주목됩니다. 메모리 시장의 변화와 각종 프로젝트의 정상화가 어떤 식으로 이어질지, 그리고 HBM4와 2나노미터 공정 제품들이 실제 시장에서 어떠한 반응을 얻을지 지속적인 모니터링과 함께 삼성전자의 행보를 지켜보아야 할 것입니다.
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